序号

项目名称

性质

完成时间

主管部门

范围和主要技术内容

1

薄膜太阳电池通用技术要求

推荐

2012

工业和信息化部

本项目为制定合适的薄膜太阳电池通用标准,适用于所有类型的薄膜太阳电池,对通用薄膜太阳电池的主要技术内容进行界定、要求,简列如下:1、有毒、有害物质要求:  薄膜电池及其材料中应不含直接(释放)对人类、环境有害的物质,电池中铅、镉、铟等有毒元素的含量应不能超标准的上限；对电池回收时应对相应有毒物质、元素等进行合理的处理回收.2、外观要求:  薄膜电池组件应无任何严重外观缺陷,严重外观缺陷主要有:破碎、开裂、弯曲、表面损伤、产生气泡、丧失机械完整性等影响组件的安装、工作的外观缺陷.3、电气安全要求:  薄膜电

3

地面太阳电池组件用接线盒

推荐

2012

工业和信息化部

本技术规范规定了地面用太阳电池组件接线盒的产品术语和定义、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存等.

8

Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法

推荐

2012

国家标准化管理委员会

本标准适用于利用高分辨X射线衍射对III氮化物外延片结晶质量进行精准测量.

9

Ⅲ族氮化物外延片晶格参数测试方法

推荐

2012

国家标准化管理委员会

本标准适用于利用高分辨X射线衍射对III氮化物外延片晶格常数进行精准测量.

10

LED发光用氮化镓

推荐

2012

国家标准化管理委员会

本规范规定了半导体发光二极管用氮化镓材外延材料的技术要求、检验规则和检验方法.完成本研究项目后,我们将提交的技术文件包括:LED用外延片材料物理性能数据库；LED用氮化物外延片测试方法；LED发光用氮化物材料性能规范.

11

LED外延芯片用磷化镓衬底规范

推荐

2012

国家标准化管理委员会

本标准规定了LED外延芯片用磷化镓衬底的分类、技术要求(电阻率、迁移率、载流子浓度要求；位错密度要求；晶向；衬底的几何形貌及外形尺寸要求等.)检验规则、标志、包装、运输及贮存.

12

LED外延芯片用砷化镓衬底规范

推荐

2012

国家标准化管理委员会

本标准规定了LED外延芯片用砷化镓衬底的分类、技术要求(电阻率、迁移率、载流子浓度要求；位错密度要求；晶向；衬底的几何形貌及外形尺寸要求等.)检验规则、标志、包装、运输及贮存.